搜索结果: 1-15 共查到“知识库 p-GaN”相关记录142条 . 查询时间(0.031 秒)
为了实现对氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT（gallium nitride high electron mobility transistor）高速开关带来的开通过压、误导通、开关振荡和EMI噪声等问题展开定量的仿真分析,提出了一种基于建模数据和最优化算法的门极增强型GaN HEMT电热行为模型建模方法。相比较于常规GaN HEMT行为模型,所提出的建模方法采用2个简单的建模公式实现了对G...
新型高K栅介质双沟道GaN基MOS-HEMT器件的栅极介质沉积工艺与电流坍塌效应的研究。
伴随电力电子技术在环保节能、智能电网中的应用,高压大功率的电力电子设备得到大力推广。GaN器件变流器因其特殊的控制性能变成大功率、高压化控制的核心。设计了一种基于神经网络PSD算法的GaN器件变流器控制系统。当GaN器件变流器出现异常后,系统中故障信息采集模块能够高效采集GaN器件变流器异常信息并传输至自适应控制模块,自适应控制模块采用神经网络PSD算法,实现GaN器件变流器自适应控制。
围绕130lm/w以及更高亮度的白光LED的研发目标，通过公关研究，初步建立从新型单晶制备、图形衬底设计加工以及新型衬底GaN基材料外延的技术平台，可以为高效、大功率、高亮度的LED白光照明不断提供新材料支撑技术；掌握各种新型衬底上外延高质量GaN材料的关键技术，成为具有国际一流水平的白光LED基础材料研发中心，为我国半导体照明产业发展提供创新型技术支持。
应用GaN HEMT的宽输入堆叠半桥LLC变换器设计
氮化镓高电子迁移率晶体管 堆叠半桥 LLC 宽电压输入
2024/3/15
对于航天发射系统中的地面支持设备与特种重型车辆，锂电池组等新兴供电单元的应用使得车辆母线电压不断提高。这种电压提升在提高电池组充放电速度的同时，也对辅助电源的输入电压范围提出了更宽的要求。同时，为了提高电源开关频率与设备效率，将氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT（gallium nitride high electron mobility transistor）器件引入到LLC变换器设计中。...
复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计
GaN肖特基二极管 漏电流 击穿电压 阶梯型场板
2022/3/31
准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注.但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响二极管的设计.本文考虑了GaN材料的缺陷以及多种漏电机制,建立了复合漏电模型,对准垂直GaNSBD的特性进行了模拟,仿真结果与实验结果吻合.基于此所提模型设计出具有高击穿电压的阶梯型场板结构准垂直GaNSBD.根据漏电流、温度和电场在反向电压下的相关性,分析了漏电机制和...
顶部反射镜对GaN基共振腔发光二极管性能的影响研究
GaN基RCLED 高反膜结构DBR 滤波器结构DBR 单纵模发光
2022/3/11
本文在GaN基共振腔发光二极管(RCLED)顶部设计制备了高反膜结构分布式布拉格反射镜(DBR)和滤波器结构DBR，对比分析了两种反射镜的反射率曲线特征以及对应的RCLED器件的光输出纵模模式、光谱线宽和输出光强等性能差异，详细研究了顶部反射镜的光反射特性对RCLED器件输出光谱性能的影响机理。研究结果表明，顶部反射镜是RCLED的重要组成部分，其反射率曲线特征决定器件的光输出性能。常规高反膜结构...
DCLS-GAN:利用生成对抗网络的天绘一号卫星高原地区影像去云方法
高原地区 卫星影像 去云 天绘一号 深度卷积生成对抗网络 最小二乘
2021/3/30
利用深度学习开展高原地区卫星影像去云是一个研究热点。本文提出了基于DCLS-GAN的天绘一号卫星高原地区影像的去云方法，采用对抗学习的思想构建深度卷积对抗生成网络，自主学习影像中云覆盖部分的典型地表特征，从而恢复云覆盖下垫面形貌。基于Encoder-Decoder结构生成网络，构建固定与可移动2种云区掩膜，在矩形固定中心掩模预训练之后进行随机位置云掩模迁移训练，使用最小二乘重建损失与交叉熵对抗损失...
THERMAL TEXTURE GENERATION AND 3D MODEL RECONSTRUCTION USING SFM AND GAN
infrared images structure from motion generative adversarial networks object recognition deep convolutional neural networks
2018/6/4
Realistic 3D models with textures representing thermal emission of the object are widely used in such fields as dynamic scene analysis, autonomous driving, and video surveillance. Structure from Motio...
0.5 μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅电流 射频特性
2017/8/22
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0。5 μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20 nm,挖槽深度为15 nm,栅介质采用高介电常数的HfO2,器件栅长为0。5 μ...
为了提高氮化镓基蓝光发光二极管的发光提取效率，在其电流扩展层上生长光子晶体.讨论了光子晶体结构周期、刻蚀深度和占空比参数与提取效率的关系，并采用时域有限差分法进行模拟计算.结果表明在晶格周期为300 nm、占空比为60%和刻蚀深度为200 nm的条件下，生长光子晶体结构后，氮化镓基蓝光发光二极管的提取效率提升了27.93%.研究了激励源在光子晶体晶格周期内位置变化对提取效率的影响，拟合得到更符合实...
多层GaN外延片表面热应力分布及影响因素
热应力 氮化镓外延层 有限元分析 仿真
2016/12/17
为了研究蓝宝石/AlN/GaN外延片表面层热应力分布及影响因素，以直径d为Φ40 mm的外延片为研究对象，利用有限元分析法对其表面热应力分布进行了理论计算和仿真，验证了仿真模型的合理性。分析了外延片生长温度、蓝宝石衬底和AlN过渡层厚度对表面热应力的影响。结果显示：在1 200℃的生长温度下，外延片径向应力比轴向应力大一个量级；在径向（d<Φ32 mm）区域内的热应力分布比较均匀，热应力变化范围为...
为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理,得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明:负电子亲和势 GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯...
质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响
AlGaN/GaN HEMT 质子辐照 辐射感生受主缺陷 辐射加固
2016/12/29
分别采用3MeV和10MeV的质子对GaN基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT...
Simulation of optically controlled GaN (Gallium Nitride) using analytical modeling of high frequency response and switching applications
Modeling analysis optical control gallium nitride ion dose ion energy ion range of parameters
2014/12/31
In this project, an analytical modeling of optically controlled Gallium Nitride has been presented here for an analysis of extrinsic and intrinsic parameters such as, gate capacitances including both ...