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搜索结果: 16-30 共查到人物 半导体材料相关记录215条 . 查询时间(2.96 秒)
全知觉,南昌大学未来技术学院副研究员,南昌大学材料科学研究所所长,从事专业领域:半导体材料与器件、半导体物理。在研国家基金项目简介:氮化镓基发光二极管中 V 坑空穴注入的研究;项目号:11674147;直接经费66万;执行年限:2017.01-2020.12.;简介:该项目主要是采用理论与实验相结合的方法,研究了LED器件中V坑对载流子输运特性的影响,建立并完善了“V坑空穴注入”物理模型;提出了“...
王光绪,山东省昌乐县人,博士,研究员,南昌大学“赣江特聘教授”,国家硅基LED工程技术研究中心副主任,南昌硅基半导体科技有限公司总裁,国家重点领域创新团队“半导体照明技术创新团队”核心成员。入选江西省重大人才工程称号获得者,南昌市十佳创新团队“硅基LED照明科技创新团队”负责人,南昌市“直接联系人才”。完成的“硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用”项目荣获江西省科技进步一等奖(排名第一),“...
高江东,南昌大学未来技术学院助理研究员,从事专业领域:硅基氮化镓发光半导体材料生长与器件物理。在研基金项目简介:铟镓氮发光二极管中载流子有效复合体积的研究。简介:由于铟镓氮发光二极管中存在较强的压电极化现象,使发光区中电子与空穴复合时需额外克服较大的极化电场,造成发光效率下降;本项课题目的在于通过铟镓氮发光二极管的发射光谱分析,获得二极管发光区中电子与空穴的浓度分布信息,进而估计电子与空穴的有效复...
方文卿,男,研究员,64年生,83年毕业于复旦大学激光物理专业,88年硕士毕业于中科院安徽光学精密机械研究所—光学/新型激光器方向。有过电真空、激光器、单片机、氮化物LED、半导体厂房设计/建造/厂务、眼科工程师、MOCVD在线监测仪器开发等方面的经历;自感动手能力强,思路开阔,属赣鄱英才555工程的入选者;代表性的工作有:硅衬底LED外延的最主要发明人之一,晶能光电的最主要创始人之一;MOCVD...
张建立,男,湖北黄梅人。2014年毕业于南昌大学材料物理与化学专业,获工学博士学位。现为南昌大学国家工程技术研究中心研究员,教育部发光材料与器件工程研究中心主任,南昌大学“双一流”学科建设发光新材料技术方向负责人。主要从事硅衬底GaN相关研究,包括MOCVD装备研制、硅上GaN材料生长、InGaN长波段LED制备、LED材料与器件分析、多基色LED封装、LED可见光通信、Micro-LED微显示技...
方芳,女,1982年生,辽宁海城人,博士,副教授,硕士生导师。2009年7月毕业于中国科学院长春精密机械与物理研究所获理学博士学位,同年荣获中科院优秀毕业生。先后在J. Mater. Chem.,Appl. Phys. Lett. Inorg. Chem.,Phys.Chem.Chem. Phys., J. Phys. Chem. C, Nanotechnology等国际著名学刊物上以第一作者身份...
莫春兰博士,1976年出生,南昌大学研究员,硕士生导师。1998-2006年本硕博均毕业于南昌大学,2001年起在南昌大学工作。主要从事半导体发光材料与器件的研究。参与和主持国家重点研发项目、国家自然科学基金等10余项;发表论文20余篇,获授权专利近10余项。
王小兰博士,1977年出生,南昌大学副研究员,硕士生导师。2007年博士毕业于中科院半导体所,2011年起在南昌大学工作。主要研究方向聚焦于GaN相关材料与器件研究。参与和主持国家重点研发项目、国家自然科学基金等10余项,发表论文30余篇,获授权及申请专利近10项。
蔡宏琨,女,南开大学电子信息与光学工程学院教授。所学专业:微电子学与固体电子学。研究方向:新能源材料与器件、柔性半导体材料与器件。
蒋保江,男,1975年12月生,教授,博/硕士生导师,第六批国家万人计划科技创新领军人才,科技部中青年科技创新领军人才,黑龙江省杰出青年基金获得者。2001、2007年分别获得黑龙江大学学士和硕士学位,2012年获得哈尔滨工程大学材料学专业博士学位,2001年到黑龙江大学化学化工与材料学院工作,2016年晋升为研究员,2017年3月~2018年3月在美国肯特州立大学国际著名材料学家Mietek J...
潘凯,男,1978年出生,博士,教授、博/硕士生导师,黑龙江省青年龙江学者。现任功能无机材料化学教育部重点实验室专职副主任。2006年毕业于吉林大学并获得物理化学专业博士学位。2008年在黑龙江大学开展无机化学方面的博士后研究工作。2016-2017年在西班牙加泰罗尼亚能源研究所作为访问教授访学1年。现受聘为中国化工学会化工新材料委员会委员。主要从事凝集态纳米半导体材料、晶态纳米碳材料的光电转换和...
马俊博士2020年6月加入南方科技大学电子与电气工程系担任助理教授,主要研究宽禁带氮化物半导体的MOCVD外延生长,以及氮化镓电子器件和发光器件的设计制备。在 IEDM,ISPSD, IEEE EDL,IEEE TED,APL等器件领域的国际主流会议和高水平期刊发表论文50余篇,并担任IEEE EDL,IEEE TED,APL等多个期刊的审稿人。
陈晓龙博士主要研究方向集中于新型二维材料电子器件的设计、制备和物性测量。在基于二维材料晶体管、中红外光电器件等研究方向取得开创性进展和突破。近年来在国际权威期刊Nature communications, Light: Science & Applications, Science Advances, Advanced Materials, ACS Nano, Nano Letter等权威期刊上发...
赵聪,南方科技大学深港微电子学院,助理教授。主要从事力致发光材料、薄膜材料及其器件制备和性能研究,研究领域包括无机材料合成、发光、薄膜器件。所获荣誉:2019年,入选深圳市孔雀计划C类。
苏龙兴博士,现任南方科技大学深港微电子学院研究副教授,硕士生导师。主要从事半导体材料的外延生长及可控合成、光电子器件、铁电存储器、器件物理等方向的研究。迄今发表学术论文50余篇,其中第一/通讯作者论文21篇,总引用1600余次,H因子21(Updated on 2022.03.02)。

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