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日本研发在晶片上形成GaN元件功率半导体的关键技术
氮化镓晶片 GaN元件功率半导体关键技术 GaN晶片 晶片
2017/2/24
日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓（GaN）晶片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术，GaN晶片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化，将处于世界优势地位。
MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨会在上海微系统所召开（图）
先进工艺 研讨会 召开
2011/11/10
1月26日下午，应上海微系统所邀请，United Monolithic Semiconductors（UMS）工艺经理Eric Leclerc 和UMS（亚太区）销售经理Xavier来所进行了“MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨”。会议由五室李凌云博士主持，近30人参加了会议。Xavier介绍了UMS的总体概况，UMS全球及中国区代工业务分布及潜在市场。据介绍，目前中国占领UMS流片代工业...
日本罗姆开发出利用GaN结晶非极性面的蓝紫色半导体激光
日本罗姆 半导体 激光元件
2007/2/9
通信世界网2007年2月8日消息，日本罗姆开发出利用GaN结晶非极性面的蓝紫色半导体激光元件。能够在室温条件下连续振荡。从其特性表来看，在约55mA的注入电流下能够得到10mW的功率。振荡波长为404nm。