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近日，中国科学院上海药物研究所、中科环渤海（烟台）药物高等研究院、烟台新药创制山东省实验室李佳、臧奕课题组、韩海浩课题组联合华东理工大学化学与分子工程学院，费林加诺贝尔奖科学家联合研究中心贺晓鹏课题组、英国巴斯大学Tony D. James课题组、牛津大学Adam C. Sedgwick课题组以及韩国高丽大学Jong Seung Kim课题组，撰写了以“The Design of Small-mo...
东芝发布40nm工艺SoC用低电压SRAM技术
东芝 工艺 低电压 SRAM技术
2011/10/31
东芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”（2010年6月15～17日，美国夏威夷州檀香山）上，发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化，可抑制SRAM的最小驱动电压上升。东芝此次证实，单元面积仅为0.24μm2的32Mbit SRAM的驱动电压可在确保...
ARM和IBM将合作开发32nm和28nm工艺SoC
合作开发 工艺
2011/11/4
据日经BP社报道，英国ARM于2008年10月21日在东京举行新闻发布会，与美国IBM等共同介绍了32nm、28nm工艺SoC（系统芯片）设计平台的合作开发详细内容。共同开发的具体内容是：两公司将面向IBM、新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor Manufacturing）和韩国三星电子采用的Bulk CMOS通用制造平台“Common Platform”，共同开发对于...
松下与瑞萨合作开发32nm工艺节点SoC工艺（图）
合作开发 工艺节点
2011/11/4
在始于1998年的联合工艺技术开发的成功合作基础上，松下公司与瑞萨科技公司已开始合作开发下一代32nm节点SoC的基本工艺技术。两家公司对其32nm节点晶体管技术充满信心，其他进展很快可以用于批量生产的产品。