搜索结果: 1-3 共查到“半导体技术 SiO2”相关记录3条 . 查询时间(0.156 秒)
中国科学院微电子研究所专利：一种分子尺度界面SiO2的形成和控制方法
薄栅SiO2击穿特性的实验分析和机理研究
薄栅氧化层 衬底热空穴 经时击穿
2009/5/8
该文利用衬底热空穴(SHH)注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和热空穴的数量,定量研究了热电子和热空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和热空穴共同作用导致的新观点,并为薄栅氧化层的经时击穿建立了一个新的物理模型。
Characterization of Defect Traps in SiO2 Thin Films
Gate oxide MOS capacitor C-V characteristics Hysteresis Slow-state traps
2010/12/8
In order to understand the degradation of the electrical operations of metal-oxide-semiconductor (MOS) devices, this work is concerned by the defects generation processes in the non-stoichiometric SiO...