搜索结果: 1-15 共查到“光信息技术 CMOS”相关记录17条 . 查询时间(0.092 秒)
中国科学院半导体研究所吴南健研究员、刘力源研究员带领的技术团队长期致力于高速成像芯片研究，并取得一系列重要进展。采用梯度掺杂光电二极管和非均匀掺杂传输管沟道的新型像素结构，有效降低电荷转移路径中的电荷势垒/势阱、电荷反弹效应和光电二极管中电荷残留，减小了拖尾现象。采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列，降低了图像传感器芯片的整体功耗。研制出1000帧每秒高速低功耗CMOS图像传感芯片，发表相关方向学...
为了获取空间相机在轨摄像期间的振动幅频特性，提出了一种基于卷帘快门面阵CMOS自相关成像的空间相机振动参数检测方法。基于卷帘式快门CMOS成像原理，对同一景物连续拍摄，得到一组具有相关性的图像序列，通过灰度投影算法对所成图像进行比对求取相对偏移量，拟合偏移量数据，进而根据拟合结果计算出空间相机的振动参数。验证实验显示，二维振动的周期检测相对误差不超过2%，振幅检测绝对误差不超过1 pixel。实验...
偏振成像系统中的面阵CMOS传感器非线性校正
非线性校正 面阵CMOS mueller矩阵 内窥
2016/9/5
mueller矩阵偏振成像可用于获取生物组织的浅表层生理学信息,在疾病早期诊断与预防中具有重要意义。而在偏振成像系统中直接使用商用面阵CMOS相机不能得到用于解算mueller矩阵的正确图像信息,限制了其在小型化内窥领域上的应用。对商用面阵CMOS的研究表明其光信号输入输出呈非线性映射关系。综合考虑到传感器固有的成像噪声,提出一种基于校正的方法对CMOS的输出数据进行映射以获取正确的组织偏振信息值...
QE Reduction due to Pixel Vignetting in CMOS Image Sensors
CMOS imager scaling QE vignetting
2015/8/17
CMOS image sensor designers take advantage of technology scaling either by reducing pixel size or by adding more transistors to the pixel. In both cases, the distance from the chip surface to the phot...
A 10 000 Frames/s CMOS Digital Pixel Sensor
ADC CMOS image sensor digital pixel sensor high-speed imaging image sensor memory
2015/8/12
A 352 288 pixel CMOS image sensor chip with perpixel single-slope ADC and dynamic memory in a standard digital 0.18- m CMOS process is described. The chip performs “snapshot” image acquisition, parall...
A 3MPixel Multi-Aperture Image Sensor with 0.7μm Pixels in 0.11μm CMOS
3MPixel Multi-Aperture Image Sensor 0.7μm Pixels 0.11μm CMOS
2015/8/12
Conventional image sensors have improved with technology scaling mainly by reducing pixel size to increase spatial resolution.As resolution approaches the limits of existing optics, is there much to g...
飞行器姿态对CMOS航空相机成像的影响
CMOS航空相机 成像系统 卷帘快门(RS)效应 误差分析 飞行器姿态 姿态角
2016/2/23
为了消除CMOS航空相机高速成像时存在的卷帘快门(RS)效应对成像质量的影响,建立了在任意姿态角下计算CMOS相机RS效应的数学模型。通过分析CMOS成像原理,利用坐标变换法求得像面上任意像素点的速度。在分析卷帘快门原理的基础上推导出了RS效应的解析式。利用蒙特卡洛统计方法分析模型精度,对模型关键参数进行了仿真实验,并讨论了帧间延迟和姿态角对RS效应的影响。实验结果显示:在高度测量误差小于0.09...
一种高带宽NP型CMOS APD的研究
雪崩光电二极管 CMOS APD 带宽
2016/8/5
提出了一种高带宽的硅基CMOS雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在N阱/P衬底基本结构的基础上,增加一个N型深掩埋层,并在该掩埋层单独加上电压,以减小载流子的输运时间。通过理论分析确定了器件的结构参数,通过器件性能的仿真分析对相关参数进行了优化设计。仿真结果表明:采用标准0.18 μm CMOS工艺,所设计的APD器件的窗口尺寸大小为20 μm×20 μm,在反向偏压为16.3 V时,器件的雪崩...
面阵CMOS光纤光谱仪研制
互补金属氧化物半导体 吸光度 光强定标
2013/3/22
研制了一种以非对称交叉Czerny-Turner光路为结构的互补金属氧化物半导体小型光纤光谱仪样机,探讨了以面阵互补金属氧化物半导体图像传感器作为光电探测器的光度测量准确性和线性问题,分析了杂散光对吸光度测量的影响.结论是:通过光强定标和非线性修正后,互补金属氧化物半导体小型光纤光谱仪可以满足一般的应用要求,其光谱测量范围为380~800 nm,光谱带宽约6 nm,积分时间1~500 ms,波长准...
Field Demonstration of Bi-directional Millimeter Wave RoF Systems Inter-operable with 60 GHz Multi-gigabit CMOS Transceivers for In-building HD Video and Data Delivery
Optical communications Radio frequency photonics
2015/5/21
We demonstrate, for the first time, a bi-directional in-building radio-over-fiber access network to deliver multi-gigabit, high-definition video and data services using all-optical conversion at the h...
基于CMOS图像传感器的实时二维相关测速法
COMS 相关测速 二维 FPGA
2014/3/27
为了提高非接触式测量的精度与实时性,以FPGA为基础提出了一种基于CMOS图像传感器的实时二维相关测速法。介绍了二维相关测速的原理和实现方法,推导出该方法的二维测速范围和测速精度。所采用的CMOS图像传感器具有1 280×1 024像素的分辨率,测量精度可达1个像素,并在此基础上采用求重心法进行8细分将测量精度提高到1/8像素。利用FPGA将传统的数学运算转换为逻辑运算提高了运算速度和可靠性,实现...
Design-Space Exploration for CMOS Photonic Processor Networks
Optical interconnects Photonic integrated circuits
2015/6/10
Monolithically integrated dense WDM photonic network topologies optimized for loss and power footprint of optical components can achieve up to 4x better energy-efficiency and throughput than electrica...
An Ultra Low Power CMOS Photonics Technology Platform for H/S Optoelectronic Transceivers at less than $1 per Gbps
Fiber optics and optical communications Integrated optics Optoelectronics Modulators Semiconductors Systems
2015/6/8
We have demonstrated a CMOS Optoelectronic technology platform, using a 650mW 4x10-Gb/s 0.13 μm silicon-on-insulator integrated transceiver chip, co-packaged with an externally modulated laser, to ena...
基于功耗限制的CMOS低噪声放大器最优化设计
低噪声放大器 功耗限制 噪声系数
2008/12/3
分析了进行功耗限制条件下怎样得到低噪声放大器的最优噪声，并就阻抗匹配及小信号电压增益进行了详细讨论。介绍了采用0.25um CMOS工艺设计的工作在2.4GHz频率下的全集成低噪声放大器。模拟结果表明，在2.4GHz工作频率下，低噪声放大器的功耗为16mW，正向增益S21可达15dB，反射参数S11、S22分别小于-23dB和-20dB，噪声系数NF为2.7dB，三阶互调点IIP3为-0.5dB。