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采用p-InGaN/p+-GaN接触层的Ni/Pd基p型欧姆接触（图）
p型欧姆接触 氮化物材料 p-InGaN p+-GaN Journal of Semiconductors GaN基激光器
2022/10/4
近日，中国科学院苏州纳米所刘建平课题组通过采用在薄层（20~30 nm）的p-InGaN/p+-GaN接触层上沉积Ni/Pd 金属，获得了低阻的p型欧姆接触。在工作中研究了表面预处理和退火温度对接触的影响，最佳退火温度为550 ℃，当温度高于该温度时，薄层电阻增大。与单一的Ni接触层相比，含Pd金属体系的比接触电阻率低约35%，采用p-InGaN/p+-GaN复合接触层结构的比接触电阻率比单一的p...
视频：大师论坛：Material Challenges for InGaN-based G
视频 大师论坛 Material Challenges for InGaN-based G
2014/11/28
视频：大师论坛：Material Challenges for InGaN-based G。