搜索结果: 1-8 共查到“光电探测器及光探测技术 GaN”相关记录8条 . 查询时间(0.312 秒)
中国科学院金属研究所专利：基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法
中国科学院金属研究所专利：基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法
该课题研究的GaN基紫外探测器在航空及航天跟踪与控制、导弹制导与预警、医疗卫生与生物工程、环境监测与预报等领域具有极强的应用前景。用它制备的紫外光电探测器比传统Si探测器有突出的优点：探测灵敏度高，光谱响应分布好，特别适合可见光盲和太阳盲区的紫外辐射探测，不需要加昂贵的滤波器，可通过加Al元素调整光谱响应范围，长波限可在蓝光至紫外范围内调节，体积小，重量轻，耐高温，耐腐蚀，抗辐照，规模化生产成本将...
该项目在材料生长方面，深入研究了低温GaN缓冲层对外延层材料质量的影响，发现了本征GaN材料中载流子散射的机制，改变了传统生长模式，生长出高质量的本征GaN材料；采取新的激活Mg杂质的方法，并优化P型材料生长参数，得到了自由空穴浓度为7×1017cm^-3高质量的P型GaN材料；发现了AlGaN之间的晶格失配导致裂纹产生的重要原因、Al原子寄生反应是影响AlGaN中Al组分的重要因素，针对这些问题...