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采用p-InGaN/p+-GaN接触层的Ni/Pd基p型欧姆接触(图)
p型欧姆接触 氮化物材料 p-InGaN p+-GaN Journal of Semiconductors GaN基激光器
2022/10/4
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管, 在( 0 0 0 1) 蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统, 生长了双波长发射的I n G a N / G a N多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析, 结果表明I n组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激发YAG:...