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采用p-InGaN/p+-GaN接触层的Ni/Pd基p型欧姆接触（图）
p型欧姆接触 氮化物材料 p-InGaN p+-GaN Journal of Semiconductors GaN基激光器
2022/10/4
近日，中国科学院苏州纳米所刘建平课题组通过采用在薄层（20~30 nm）的p-InGaN/p+-GaN接触层上沉积Ni/Pd 金属，获得了低阻的p型欧姆接触。在工作中研究了表面预处理和退火温度对接触的影响，最佳退火温度为550 ℃，当温度高于该温度时，薄层电阻增大。与单一的Ni接触层相比，含Pd金属体系的比接触电阻率低约35%，采用p-InGaN/p+-GaN复合接触层结构的比接触电阻率比单一的p...
视频：大师论坛：Material Challenges for InGaN-based G
视频 大师论坛 Material Challenges for InGaN-based G
2014/11/28
视频：大师论坛：Material Challenges for InGaN-based G。
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管， 在（ ０ ０ ０ １） 蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统， 生长了双波长发射的Ｉ ｎ Ｇ ａ Ｎ ／ Ｇ ａ Ｎ多量子阱发光二极管结构．通过对不同Ｉｎ组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析， 结果表明Ｉ ｎ组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响．此外，用双蓝光发射的芯片来激发ＹＡＧ：...