搜索结果: 1-15 共查到“光电子技术 GaN”相关记录32条 . 查询时间(0.109 秒)
中国科学院半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器（图）
紫外激光器 氮化镓基材料 电流
2024/4/22
氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点，在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以及紫外通信等领域有重要的应用前景。但由于GaN基紫外激光器基于大失配异质外延材料技术制备而成，材料缺陷多、掺杂难、量子阱发光效率低、器件损耗大，是国际半导体激光器领域研究的难点，受到了国内外的极...
中国科学院金属研究所专利：基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法
中国科学院金属研究所专利：基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法
山东大学“稷下风”学术论坛-王幸福：新型GaN基微纳结构及光电器件。
采用p-InGaN/p+-GaN接触层的Ni/Pd基p型欧姆接触（图）
p型欧姆接触 氮化物材料 p-InGaN p+-GaN Journal of Semiconductors GaN基激光器
2022/10/4
近日，中国科学院苏州纳米所刘建平课题组通过采用在薄层（20~30 nm）的p-InGaN/p+-GaN接触层上沉积Ni/Pd 金属，获得了低阻的p型欧姆接触。在工作中研究了表面预处理和退火温度对接触的影响，最佳退火温度为550 ℃，当温度高于该温度时，薄层电阻增大。与单一的Ni接触层相比，含Pd金属体系的比接触电阻率低约35%，采用p-InGaN/p+-GaN复合接触层结构的比接触电阻率比单一的p...
中国科学院半导体研究所赵德刚研究员团队长期致力于GaN基光电子材料外延生长与器件研究。近年来，团队逐步解决了紫外半导体激光器发光效率低、高Al组分AlGaN的p掺杂困难、大失配外延应力调控以及器件自发热等一系列关键问题，在紫外半导体激光器研制方面取得了一系列重要进展。2016年实现了国内第一支GaN基紫外半导体激光器的电注入激射。2022年研制出激射波长为384nm、室温连续输出功率为2W的大功率...
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室赵德刚研究员团队研制出氮化镓（GaN）基大功率紫外激光器，室温连续输出功率2W，电注入激射波长384 nm。这是赵德刚研究员团队在实现波长小于360nm的AlGaN紫外激光器突破之后取得的又一重要进展。
半导体所集成光电子学国家重点实验室赵德刚研究员团队研制出氮化镓（GaN）基大功率紫外激光器，室温连续输出功率2W，电注入激射波长384 nm。这是赵德刚研究员团队在实现波长小于360nm的AlGaN紫外激光器突破之后取得的又一重要进展。
铁电薄膜同时具有较大的正、负电卡效应，在现代电子、通信、医疗、军事等领域有着广泛的应用前景。电卡效应具有高制冷性能，它的实际应用面临两个关键挑战：一是设计更合适的冷却系统，以保证更大的温度跨度和冷却效果；第二个是寻找更合适的材料，既保证了优良的制冷效果，又廉价易得。一个冷却循环中的负电卡效应可以通过在冷却过程中持续施加电场完成冷却过程，这将比使用单个正电卡效应或负电卡效应表现出更高的电卡效应。因此...
为了提高氮化镓基蓝光发光二极管的发光提取效率，在其电流扩展层上生长光子晶体.讨论了光子晶体结构周期、刻蚀深度和占空比参数与提取效率的关系，并采用时域有限差分法进行模拟计算.结果表明在晶格周期为300 nm、占空比为60%和刻蚀深度为200 nm的条件下，生长光子晶体结构后，氮化镓基蓝光发光二极管的提取效率提升了27.93%.研究了激励源在光子晶体晶格周期内位置变化对提取效率的影响，拟合得到更符合实...
华南师范大学光电子材料与技术研究所光电子器件与分析课件第13章 GaN基PIN紫外光电探测器的设计
华南师范大学光电子材料与技术研究所 光电子器件与分析 课件 第13章 GaN基PIN紫外光电探测器的设计
2014/7/2
华南师范大学光电子材料与技术研究所光电子器件与分析课件第13章 GaN基PIN紫外光电探测器的设计 。
GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管
GaN 垒层厚度 InGaN/GaN量子阱 双蓝光波长
2013/8/30
针对单蓝光波长芯片与Y3Al5O12:Ce3+黄光荧光粉封装白光发光二极管存在显色性不足的问题, 提出了采用双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12:Ce3+黄光荧光粉实现高显色性白光发射法, 并分析了其可行性. 利用金属有机化学气相沉积系统在(0001)蓝宝石衬底上顺序生长两个In0.18Ga0.82N/GaN量子阱和两个In0.12Ga0.88N/GaN量子阱的双蓝光波长发光二极管, 并对不同GaN...
顶端ZnO纳米结构对GaN基LED光提取效率的影响
发光二极管 ZnO纳米结构 光提取效率 时域有限差分
2013/9/22
为了提高GaN基蓝光LED的光提取效率,本文建立了LED顶面分别铺设ZnO纳米柱和纳米锥结构的两种模型,利用时域有限差分法对两种模型进行仿真并对结果进行了比较.仿真结果表明,ZnO纳米结构的各项几何结构参量(包括排列周期P、高度L、宽度W以及斜率k等),对LED顶端光提取效率影响显著.仿真分别得到了两种结构的最佳模型,通过比较,LED顶面纳米柱和纳米锥结构对光提取效率的提高效果相近,其最佳提取效率...
GaN结构相变、电子结构和光学性质
氮化镓 相变 电子结构 光学性质
2013/3/22
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法,对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究,分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.通过状态方程和焓相等原理得到GaN从纤锌矿到氯化钠结构的相变压强分别为43.9 Gpa和46.0 Gpa;在相变的过程中,GaN由典型的直接带隙半导体转变为间接带隙半导体材料;氯化钠结构GaN相比于纤锌矿结构,介电函数主峰值增...