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Si夹层对GaAs/AlAs异质结的影响
GaAs/AlAs异质结 Si夹层 X射线光电子谱测量 深能级瞬态谱测量
2009/11/20
用MBE生长了GaAs/Si/AlAs异质结及其对比样，通过深能级瞬态谱技术(DLTS)和X射线光电子谱测量(XPS)研究了Si夹层的引入对异质结的影响，研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷，异质结仍保持较好的质量，但使GaAs/AlAs的带阶发生了改变。