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搜索结果: 1-2 共查到“工程通用技术 SiO2”相关记录2条 . 查询时间(0.125 秒)
中国科学院国家纳米科学中心专利：直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法
文章摘要： 用粉体制备和高温熔凝工艺在n型单晶硅基片上制备了非晶态SiO2--ZnO--B2O3复合膜驻极体, 实现对SiO2薄膜驻极体的改性. 恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电(thermally stimulated discharged, TSD)实验表明, B3+、Zn2+的掺杂对SiO2薄膜驻极体的电荷动态特性有较大影响: TSD放电电...

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