首 页
学术站点
知识要闻
国际动态
人 物
研招资料
会议中心
学术指南
课 件
知 识 库
所有栏目
学术站点
知识要闻
国际动态
人物
研招资料
会议中心
学术指南
课件
知识库
所有学科
文学
宗教学
马克思主义
法学
人口学
理论经济学
哲学
工商管理
应用经济学
心理学
科学技术史
世界经济学
社会学
农林经济管理
人力资源开发管理
政治学
科学技术哲学
图书馆、情报与档案管理
公共管理
标题
作者
关键词
摘要
正文
单位
网址
任意词
工学
>>>
工程与技术科学基础学科
>>>
工程数学
工程控制论
工程力学
工程物理学
工程地质学
工程水文学
工程仿生学
工程心理学
标准化科学技术
计量学
工程图学
勘查技术
工程通用技术
工业工程学
工程与技术科学基础学科其他学科
搜索结果:
1-2
共查到
“
工程与技术科学基础学科 SiO2
”
相关记录2条 . 查询时间(0.039 秒)
中国科学院国家纳米科学中心专利:直接在
SiO2
介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法
中国科学院国家纳米科学中心
专利
SiO2介电层
并五苯
薄膜晶体管
2023/6/26
中国科学院国家纳米科学中心专利:直接在
SiO2
介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法
存档文本
原文地址
文献传递
B3+, Zn2+掺杂与
SiO2
薄膜驻极体的改性
离子掺杂
二氧化硅
复合膜
驻极体
2007/10/26
文章摘要: 用粉体制备和高温熔凝工艺在n型单晶硅基片上制备了非晶态
SiO2
--ZnO--B2O3复合膜驻极体, 实现对
SiO2
薄膜驻极体的改性. 恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电(thermally stimulated discharged, TSD)实验表明, B3+、Zn2+的掺杂对
SiO2
薄膜驻极体的电荷动态特性有较大影响: TSD放电电...
存档文本
存档附件
原文地址
文献传递
中国研究生教育排行榜
-
条
正在加载...
中国学术期刊排行榜
-
条
正在加载...
世界大学科研机构排行榜
-
条
正在加载...
中国大学排行榜
-
条
正在加载...
人 物
-
篇
正在加载...
课 件
-
篇
正在加载...
视听资料
-
篇
正在加载...
知识库
-
篇
正在加载...
研招资料
-
篇
正在加载...
知识要闻
-
篇
正在加载...
国际动态
-
篇
正在加载...
会议中心
-
篇
正在加载...
学术指南
-
篇
正在加载...
学术站点
-
篇
正在加载...