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PCVD法制备的Ti--Si--C--N纳米复合超硬薄膜的高温氧化行为
Ti-Si-C-N 纳米复合超硬薄膜 晶粒尺寸 抗氧
2008/12/10
用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)方法在高速钢基体上沉积出新型Ti-Si-C-N超硬薄膜。用XRD、XPS、HRTEM等分析发现薄膜微观组成为纳米晶/非晶复合结构（nc-Ti(C, N)/a-Si3N4/a-C-C）或（nc-Ti(C, N)/h-Si3N4/a-Si3N4/a-C-C）。高温氧化实验结果发现：随Ti含量降低和Si含量增大，Ti-Si-C-N薄膜的抗氧化温度逐步提高。当...
PCVD工艺制备非零色散位移单模光纤和规模化生产的技术研究
PCVD工艺 非零色散位移单模光纤 技术研究
2008/11/4
当前密集波分复用（DWDM）技术是充分利用光纤带宽资源的最有效的方法，本项目结合光通信器件的发展和DWDM系统的要求，开发了适于密集波分复用（DWDM）传输系统的光纤－大保实和高保实光纤。大保实光纤具有目前市场上最大的有效面积，可以承载更高功率的光信号又能有效的抑制四波混频等非线性效应；适量的色散，有助于抑制非线性效应的同时又足以保证了足够长的色散受限距离和尽可能的减小了色散补偿的量。大保实光纤经...
Ti-Si-N纳米复相薄膜及Si含量对脉冲直流PCVD镀膜质量的影响
PCVD Ti-Si-N 相组成 临界载荷
2008/9/1
用工业型脉冲直流等离子体增强化池气相沉积(PCVD)设备, 在高速钢(W18Cr4V)表面沉积Ti-Si-N三元薄膜, 研究了不同N2流量对薄膜组织及性能的影响. 结果表明: 随N2流量增大, 膜层沉积速率及膜层中Si含量减少, 薄膜组织趋于致密, 膜层颗粒尺寸明显减小, 划痕法临界载荷和显微硬度显著增加, 硬度最高可达50 GPa以上. 研究发现, 对应N2流量, 薄膜相组成发生变化, 依次存在...
用脉冲直流等离子体增强化学气相沉积 (PCVD) 方法，在高速钢试样表面沉积出一种新型Ti-Si-C-N薄膜材料. 研究了不同SiCl4流量对薄膜成分、微观组织形貌以及薄膜晶体结构的影响. X射线衍射 (XRD)、X射线光电子能谱 (XPS)、透射电子显微镜 (TEM) 和扫描电子显微镜 (SEM) 分析结果表明: Ti-Si-C-N薄膜是由Ti(C, N)/a-C/a-Si3N4组成的纳米复合结...
PCVD制备Ti1-xAlxN硬质薄膜的结构与硬度
(Ti Al)N硬质薄膜 微观结构 硬度
2007/12/25
用直流等离子体增强化学气相沉积(PCVD)方法获得了硬质薄膜;考察了Al含量及高温退火对薄膜微观结构转变过程及其硬度的影响. 结果表明,制备的薄膜由3---10 nm晶粒组成. 随Al含量增加, 薄膜硬度升高, x超过0.83时, 硬度开始急剧下降; 结构分析证实x小于0.83,薄膜是固溶强化; x=0.83, 薄膜中出现六方氮化铝相(h--AlN). 热稳定性实验表明,薄膜的纳米结构和硬度在N2...
用DC-PCVD装置对钢沉积Si3N4薄膜
2007/7/28
期刊信息
篇名
用DC-PCVD装置对钢沉积Si3N4薄膜
语种
中文
撰写或编译
作者
吴大兴，杨川，高国庆等
第一作者单位
刊物名称
金属学报
页面
1997年3月，Vol.33，No.3
出版日期
1997年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究
用DC-PCVD装置对钢沉积Si_3N_4薄膜
钢 Si_3N_4薄膜 直流等离子化学气相沉积
2010/4/6
控制工艺参数，用直流等离于化学气相沉积（DCPCVD）装置，对碳钢、合金结构钢、高速钢等沉积Si3N4非晶态薄膜，并研究了薄膜的成分、结构、形貌及硬度.