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近日,我院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿结晶调控与缺陷机理分析研究中取得新进展。针对无铅锡基钙钛矿半导体中易被氧化、快速结晶、稳定性差等问题,该课题组设计了一种减缓钙钛矿结晶的分子桥接优化策略,有效提升了薄膜结晶质量,抑制了光生载流子的非辐射复合,并利用基于同步辐射X射线的原位散射技术监测了锡基钙钛矿的结晶过程,阐述了结晶动力学机理。该工作为深入了解无铅锡基钙钛矿结晶动力学和锡基钙钛矿半导体器件...
近日,我院石媛媛教授团队与合肥综合性国家科学中心人工智能研究院何立新教授团队合作,通过在模拟型阻变随机存储器(RRAM)的阻变层中加入单层(ML)MoS2来控制导电细丝(conductive filament,CF)的形成,极大提升了模拟型RRAM的均一性、线性和对称性,相关成果以“Uniformity,Linearity,and Symmetry Enhancement in TiOx/MoS2...
2025年1月13日,微电子所智能感知芯片与系统研发中心乔树山团队在超宽带低噪声单片集成电路研究方面取得重要进展。微弱信号处理链路对噪声极为敏感,低噪声放大器作为信号链路的关键元器件,决定了微弱信号的检测灵敏度。传统的低噪声芯片受晶体管的增益滚降、噪声和带宽相互制约的影响,导致各类系统的灵敏度和带宽无法满足信号多样性要求。同时,当电路长期工作在低温环境时,放大器的不稳定性加剧,导致系统可靠性降低。
2025年来三维信息感知在机器视觉、深空成像以及医疗诊断方面具备广泛的应用前景,包含物体深度信息的三维信息感知能够更加全面地感知物体的形态与光学特征。然而三维感知系统通常需要额外集成主动式光源或者被动式多目相机,通过记录光子飞行时间或者通过结构光衍射、相位分布以及多角度反射,实现深度维度的感知与重构,这将导致成像系统面临集成复杂以及高成本制备等挑战,制约了三维成像系统的微型集成化发展。
2025年1月10日,西安电子科技大学集成电路学部在实现钙钛矿太阳能电池商业化上取得重要突破,研究成果以“Wafer-scale monolayerMoS2film integration for stable,efficient perovskite solar cells”为题,以合作作者单位在线发表于《科学》(Science)期刊上。其中集成电路学部苏杰副教授为共同第一作者,常晶晶教授为共同...
近日,我院杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得进展,实现了具有高反型沟道迁移率的垂直型GaN沟槽栅MISFET,相关研究成果以“Achieving 205 cm2V-1s-1 Inversion Channel Mobility in 1.4 kV Vertical GaN-on-GaN MISFET With Nitride Gate Dielectric”为题在202...
为深入实施“立德树人工程”“时代新人铸魂工程”,弘扬科学家精神,巩固科研育人成效,雷达信号处理全国重点实验室邀请中国电子科技集团公司首席科学家、国家级创新团队负责人、全国创新争先奖章获得者、中国航天基金会钱学森杰出贡献奖获得者、83级校友马林研究员为师生带来了题为“复杂电子系统研究”的精彩报告。
作为自旋电子学的一个新兴分支,有机自旋电子学器件具有成本低、可溶液加工、重量轻、可化学裁剪等特点,它将有机分子独特的优点与自旋调控相结合,在带来新材料、新架构和新机制的同时,也为下一代高性能量子器件提供了新的研发路线。对自旋界面进行设计和优化是提高有机自旋阀器件性能的一个重要技术手段。在现阶段,调控自旋界面的主要方法是诸如化学工程、改变有机分子的种类等非原位技术,而对于自旋界面的原位、非破坏性调控...
作为自旋电子学的一个新兴分支,有机自旋电子学器件具有成本低、可溶液加工、重量轻、可化学裁剪等特点,它将有机分子独特的优点与自旋调控相结合,在带来新材料、新架构和新机制的同时,也为下一代高性能量子器件提供了新的研发路线。对自旋界面进行设计和优化是提高有机自旋阀器件性能的一个重要技术手段。在现阶段,调控自旋界面的主要方法是诸如化学工程、改变有机分子的种类等非原位技术,而对于自旋界面的原位、非破坏性调控...
尽管钙钛矿太阳能电池功率转换效率取得进展,但器件不稳定性仍是其商业化应用的障碍之一。这种不稳定性源于卤素离子尤其是碘离子(I⁻)的迁移。在光照和热应力作用下,I⁻发生迁移并转化为I₂,导致不可逆的降解和性能损失。因此,抑制钙钛矿太阳能电池器件I⁻迁移至关重要
单层过渡金属硫化物(TMD)由于具备室温稳定激子,所以在激子发光器件方面有着广泛的应用前景。由于其表面无悬挂键,因此易于与其他材料所构成的纳米光学结构进行无键合的范德华异质集成。另一方面,多层TMD由于层间耦合效应弱,其紧束缚的层内激子使得即便在远大于激子跃迁波长处也具有较高的折射率(n> 4)。这种独特的高折射率特性有利于获得传统介电材料难以实现的纳米尺度光场强束缚。然而与单层TMD不同,多层T...
以氧化镓(Ga2O3)和金刚石(Diamond)为代表的超宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、巴利加优值高、抗辐射能力强等优异性能,可以更好地满足功率电子器件在高功率、高温、高频以及高辐射等极端工况的使用需求,应用前景广阔。p型半导体和n型半导体相结合的双极型器件,具有良好的电流和电压承载能力,是功率电子器件发展的重要方向。然而,超宽禁带半导体面临双极型掺杂难的问题,比如氧化镓难以实现p...
近日,陕西省电子学会第十二次会员代表大会在西安召开。大会审议通过了第十一届理事会工作报告、财务工作报告和学会章程,表决通过了会费标准和使用管理办法,选举产生了第十二届理事会、第一届监事会,副校长刘宏伟教授当选为陕西省电子学会第十二届理事会理事长。
2024年12月20日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作,基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。
磁性量子材料的缺陷工程及其局域量子态自旋的调控,有望构筑未来实用化的自旋量子器件,是目前凝聚态物理研究的热点领域之一。笼目晶格(kagome)材料具有独特的共顶点三角形二维网格,从而呈现几何阻挫、平带、狄拉克交点,范霍夫奇异点、拓扑能带以及子晶格量子干涉效应等特征,孕育了丰富的量子物态。近几年,具有笼目晶格Co3Sn层磁性金属Co3Sn2S2展现出了反常霍尔效应、拓扑表面态费米弧、手性异常负磁电阻...

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