搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 集成电路技术”相关记录439条 . 查询时间(3.087 秒)
中国科学院单个激光腔中实现高性能单模激光输出
激光 高性能 集成电路
2024/12/20
2024年12月18日，中国科学院上海光学精密机械研究所研究员张龙与董红星团队，联合湖南大学和南京航空航天大学的研究人员，在激光模式调控技术研究方面取得进展。该团队通过选择性模式结构破缺这一创新方法，在单个激光腔中实现了高性能单模激光输出。相关研究成果以Single-Mode Lasing by Selective Mode Structure Breaking为题，发表在《先进功能材料》（Adv...
中国科学院科研人员发展出新型聚合物半导体交联剂（图）
聚合物 半导体 集成电路
2024/12/8
高迁移率聚合物半导体的设计合成已取得进展，但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用于集成电路面临困难。在集成电路中，对聚合物半导体进行图案化加工，可以降低漏电流，避免相邻器件间的串扰，降低电路整体功耗。目前，可控光化学交联技术是与现有微电子工业光刻工艺相兼容的图案化方式。特别是，发展高效的化学交联剂至关重要。
国家自然科学基金委员会武大何军课题组在后摩尔时代先进技术节点器件研究方面取得进展（图）
何军 器件 集成电路
2024/12/3
2024年11月19日，《自然·材料》（Nature Materials）在线发表了武汉大学物理科学与技术学院何军教授课题组在后摩尔时代先进技术节点器件高κ单晶栅介质方面的最新进展，文章题目为“High-κmonocrystalline dielectrics for low-power two-dimensional electronics”。武汉大学物理科学与技术学院尹蕾研究员、程瑞清副教授和...
为加快培育半导体及集成电路战略性新兴产业集群，促进产业迈向全球价值链高端，2024年10月17-18日，在广州市科学技术局、广州科技创新创业大赛组委会指导下，由广州金融发展服务中心主办，广州市半导体协会和大湾区科技创新服务中心联合主办的第十三届中国创新创业大赛（广东·广州赛区）暨2024年广州科技创新创业大赛半导体与集成电路行业赛在广州顺利举行，本次行业赛也得到了中国工商银行广州科技支行、广发证券...
近日，依托建设在高新区天开华苑园的天津国家芯火双创基地（平台）顺利通过GB/T 19001-2016/ISO 9001:2015质量管理体系认证，获得认证证书（证书编号：ZM034124Q13321R0S）。本次认证通过范围：集成电路的设计生产，产教融合服务。
中国科大在无掩膜深紫外光刻技术研究中取得新进展（图）
膜 集成电路 半导体
2024/12/5
2024年9月30日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaNLab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术。在被广泛应用于集成电路芯片制造的步进式光刻机技术之外，本技术提出利用每颗micro-LED具有...
集成电路静电保护的要求、设计与优化培训顺利开展（图）
集成电路 静电保护 刘俊杰
2024/10/25
2024年9月5日-6日，由国家集成电路设计深圳产业化基地与芯动力人才计划联合举办的第139期国际名家讲堂圆满落幕。本次讲堂以“集成电路静电保护的要求、设计与优化”为主题，汇聚了80余位来自各地的集成电路领域精英，共同探讨行业前沿技术。
Power IC Technology培训通知
Power IC Technology 培训通知 芯片设计 集成电路
2024/10/25
为提高深圳集成电路设计水平，增加企业研发人员与世界一流专家学习和对话的机会，国家集成电路设计深圳产业化基地将与工业和信息化部人才交流中心芯动力人才计划联合举办Power IC Technology培训。本次培训特邀加加拿大多伦多大学教授、多伦多纳米制造中心主任Wai Tung Ng吴伟东教授作为讲师。
中国科学院半导体所在垂直自旋器件的全电写入关键技术方面取得进展（图）
器件 集成
2024/11/7
同时利用“电荷”、“自旋”和“轨道”三大自由度的自旋存算器件是超越摩尔信息技术的重要选项。垂直磁化自旋比特具有10纳米以下尺寸保持良好热稳定性的潜在优势，但面临如何实现高能效全电写入的关键技术难题。传统材料（如自旋霍尔效应材料等）由于对称性保护只能产生面内横向极化自旋，其角动量无法翻转垂直磁化比特。寻找垂直有效磁场和垂直极化自旋的有效产生方法成为2024年来的科技前沿热点。
上海微系统所“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”（图）
柔性 太阳电池 集成电路
2024/8/28
2024年8月15-18日，第十九届中国可再生能源学会在陕西西安召开，光伏专委会发布了2024年太阳电池中国最高效率、2023年光伏领域重大科技进展，集成电路材料全国重点实验室纳米材料与器件实验室新能源技术中心课题组的“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”。
南方科技大学深港微电子学院林龙扬课题组在超低功耗和超低温集成电路设计领域取得新进展
林龙扬 超低功耗 超低温 集成电路
2024/10/24
近日，南方科技大学深港微电子学院林龙扬课题组分别在超低功耗集成电路设计和超低温集成电路设计取得新进展。相关成果：【论文1】“A 0.72nW, 0.006mm2 32kHz Crystal Oscillator with Adaptive Sub-Harmonic Pulse Injection from -40°C to 125°C in 22nm FDSOI”入选2024年VLSI Sympo...
中国科学院金属所等发明热发射极晶体管（图）
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石，而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小，其进一步发展的挑战日益增多。因此，探索具有新工作原理的晶体管，已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输，而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能，展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而，过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子，由于界面势垒的...
中国科学院沈阳分院金属所发明热发射极晶体管（图）
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石，而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小，其进一步发展的挑战日益增多。因此，探索具有新工作原理的晶体管，已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输，而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能，展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而，过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子，由于界面势垒的...
国家自然科学基金委员会中国学者在n型有机半导体的稳定性研究中取得进展（图）
有机半导体 集成电路
2024/8/25
在国家自然科学基金项目（批准号：52225304、52121002、52073210、52073210）等资助下，天津大学理学院胡文平/李立强团队在n型有机半导体的稳定性研究中取得进展，相关研究成果以“利用维生素C提高n型有机半导体的性能和稳定性（Improving both performance and stability of n-type organic semiconductors by...
