搜索结果: 31-45 共查到“知识要闻 半导体材料”相关记录231条 . 查询时间(2.187 秒)
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中国科学院可控生长InSb纳米低维结构及其高质量量子器件研究获进展(图)
纳米低维结构 量子器件 半导体材料
2023/3/15
窄带InSb半导体材料以高电子迁移率、大朗德g因子和强大的Rashba自旋轨道耦合特征而著称,成为自旋电子学、红外探测、热电以及复合半导体-超导器件中的新型量子比特和拓扑量子比特的材料候选者。由InSb制成的低维纳米结构如纳米线或2D InSb纳米结构(或量子阱),也因丰富的量子现象、优异的可调控性而颇具潜力。然而,InSb量子阱由于大晶格常数,较难在绝缘基板上外延生长。解决这些问题的方法之一是自...
宁波江丰同芯半导体材料有限公司举行开业暨投产仪式
宁波 江丰同芯 半导体材料
2023/3/15
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苏州纳米所在彩色基底用于半导体SERS方面取得研究进展(图)
半导体材料 单分子检测 薄膜结构
2023/7/18
表面增强拉曼散射(SERS)是一种强大的痕量分析技术,具有单分子检测的灵敏度,并提供分子指纹信息,在痕量分析、界面表征等领域具有巨大的应用价值,其中基底材料是SERS研究的核心。2023年来,半导体材料由于低成本、高选择性、结构可调、生物相容性好等特点,成为SERS基底研究的一个新兴方向。然而,相比于传统的贵金属SERS材料,半导体SERS在灵敏度上仍有数量级的差距,其中一个重要原因是半导体SER...
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厦门大学材料学院张金宝教授课题组在有机半导体导电机制的研究中取得重要进展。团队围绕有机空穴传输材料效率低和稳定性差等问题开展了系列工作,改进了材料沉积成膜的方法,深入探索了薄膜结构影响器件稳定性的规律,进一步揭示了掺杂阴离子的工作机制。
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中国科学院超导二极管效应研究获进展(图)
超导二极管 半导体材料
2022/11/8
作为现代电子工业的基石,半导体电子器件的基元是实现半导体二极管效应的P-N结。半导体P-N结的特性之一是单向导电性。在正向偏置时,P-N结处于导通状态,允许电流通过;在反向偏置时,P-N结处于截止状态,电流无法通过。半导体电子器件利用这样的特性实现逻辑运算。与半导体材料类似,具有宏观量子现象的超导体在量子电子学占有重要地位,如超导量子干涉仪等。那么,能否在超导电流中实现二极管效应?由于超导电流的零...
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清华大学团队基于二维面内异质结首次同步实现热/电整流(图)
清华大学 二维面 内异质结 热/电整流
2023/2/28
芯片对于民用和国防多个领域至关重要,也是我国核心科技的“卡脖子”难题之一。根据摩尔定律,晶体管的沟道长度逐年缩短,与此同时半导体材料的厚度也会同比例微缩。但随着晶体管沟道尺寸的极限微缩,传统硅基晶体管的尺寸已达到物理极限,迫切需要寻找下一代新型半导体材料进一步提高芯片的集成度。单层过渡金属二硫化物(Transition Metal Dichalcogenides, TMDCs)面内异质结由于具有原...
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2022年7月8日,中科院合肥研究院固体物理研究所太阳电池团队的英文专著 DYE-SENSITIZED SOLAR CELLS (染料敏化太阳电池)正式出版,该书由德国德古意特出版社和中国科学出版社共同出版,面向全球发行。
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清华大学团队阐释层状半导体芯片新材料的横向结电子器件应用(图)
层状半导体芯片 横向结电子器件 新材料
2022/7/15
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8英寸碳化硅单晶研究获进展(图)
8英寸 碳化硅 单晶
2022/9/21