搜索结果: 121-135 共查到“知识要闻 半导体技术”相关记录1092条 . 查询时间(2.209 秒)
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东南大学集成电路学院正式揭牌(图)
东南大学 集成电路
2023/7/17
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上海微系统所在300mm大硅片晶体生长的数值模拟研究方面取得重要进展(图)
大硅片晶体 数值模拟 集成电路
2023/12/3
300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料,对整个集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对我国集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求,亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题,进而开发大直径单晶晶体生长技术,实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控,满足射频、存储等领域的应用需求。
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南方科技大学深港微电子学院参加ISEDA2023(图)
南方科大 深港微电子 ISEDA 模拟电路
2023/11/29
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中国科学院半导体所非共线反铁磁自旋调控研究获进展(图)
半导体所 铁磁自旋调控 铁磁材料
2023/5/11
传统的自旋信息器件主要基于对铁磁材料中磁矩的精确操控与探测,但由于杂散场、较小的磁各向异性场等本征缺陷,使得铁磁自旋信息器件面临挑战。具有零净磁矩的反铁磁材料拥有超快的自旋动力学特征、极小的杂散场和较强的抗外场干扰能力,在超高密度信息存储和超高速度信息处理方面颇具应用潜力,被认为是下一代自旋信息器件重要的候选载体材料。拓扑反铁磁材料(如典型代表Mn3Sn)集合了常规反铁磁体中零杂散场和超快自旋动力...
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中国科学院微电子研究所在半导体器件物理领域获进展(图)
半导体器件 载流子 宏观电学
2023/5/10
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中国科学院微电子所在半导体器件物理领域获进展(图)
微电子所 半导体器件 物理领域
2023/5/11
半导体器件存在缺陷态等无序因素,其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂,准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是领域内的难点和重点。
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中国科学院微电子所在半导体器件物理领域取得重要进展(图)
半导体器件 非线性输运 聚合物器件
2023/8/21
由于半导体器件广泛存在缺陷态等无序因素,其载流子的输运往往表现为跃迁形式。因半导体中的缺陷态种类较为复杂,准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性一直是本领域内的难点及重要话题。
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“量子”学术沙龙第三期:杂化半导体中的自旋量子态调控(图)
量子 学术沙龙 杂化半导体 自旋量子态
2023/5/11
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中国科学院半导体所在氮化物材料外延研究中取得新进展(图)
氮化物材料 半导体 二维材料
2023/7/7
202年4月24日,半导体研究所照明研发中心刘志强研究员等在氮化物材料外延研究领域取得新进展,揭示了氮化物范德华外延的物理本质,提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则;同时,提出了解决本领域关键科学、技术问题的方案和路线。相关工作以“二维材料辅助的氮化物外延生长准则(Principles for 2D Material Assisted Nitrides Epitaxial Growth)”,...