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中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种CVD生长石墨烯用铜膜催化剂及其应用。
中国科学院金属研究所等离子体CVD技术构筑金刚石-石墨材料取得新进展（图）
等离子体 石墨材料 电子器件
2024/5/13
共价金刚石-石墨材料，集合了金刚石和石墨的性质优势，能够实现超硬、极韧、导电等优越性能组合，在超硬和电子器件领域极具研究和发展价值。由于金刚石-石墨共价界面能高，目前主要通过高温高压方法来活化碳原子，实现该材料的构筑。等离子体化学气相沉积（CVD）是金刚石面向功能应用的主要发展方向，借助CVD技术构筑共价金刚石-石墨材料，并探索金刚石和石墨两相界面的新奇物性受到研究人员的关注。
中国科学院金属研究所专利：气体外循环型热丝 CVD 金刚石膜生长装置
中国科学院金属研究所 专利 气体外循环 热丝 CVD 金刚石膜
2023/8/22
中国科学院金属研究所专利：气体外循环型热丝 CVD 金刚石膜生长装置
为了探索改进化学气相沉积法(CVD)制备薄层MoS2的最佳制备温度,计算了不同温度下该反应体系吉布斯自由能的变化。在热力学计算的指导下,采用多温区管式炉制备MoS2纳米片,对反应温度和沉积温度进行了精准的掌控,并研究了几个重要参考温度对MoS2的影响。结果表明,改进型CVD法制备的薄层MoS2纳米片结晶质量高、厚度均匀;温度对MoS2的形貌、尺寸和结晶质量的影响显著,MoS2的尺寸随温度的升高而增...
应用CVD金刚石涂层工具研磨单晶蓝宝石
化学气相沉积(CVD)金刚石涂层 研磨 蓝宝石 晶粒形态
2016/7/22
通过热丝化学气相沉积(HFCVD)法制备了具有球状晶结构、棱锥形晶结构和棱柱形晶结构等3种不同表面特征的化学气相沉积(CVD)金刚石涂层工具,以提高其研磨效率。通过正交实验法研究了金刚石涂层晶粒形态、载荷、工作台转速、研磨时间等4个工艺参数对蓝宝石材料去除率和表面粗糙度的影响。结果表明:金刚石涂层的晶粒形态对材料去除率和表面粗糙度影响较大;球状晶结构金刚石涂层切向力较小,棱柱形晶结构金刚石涂层切向...
中国科学院宁波材料技术与工程研究所“功能碳素材料团队”以实现金刚石精密工具的国产化和产业化为目标，最近在CVD（Chemical-Vapor-Deposition:化学气相沉积）单晶金刚石合成方面取得了突破性进展。团队从国产微波等离子体CVD设备设计改造着手，开发了高密度、高稳定性的金刚石沉积装置。与国外设备相比，成本降至百分之三十。团队自主开发了金刚石的生长工艺，即对籽晶进行特殊的处理，同时制备...
中国科学院宁波材料技术与工程研究所“功能碳素材料团队”以实现金刚石精密工具的国产化和产业化为目标，最近在CVD（Chemical-Vapor-Deposition:化学气相沉积）单晶金刚石合成方面取得了突破性进展。团队从国产微波等离子体CVD设备设计改造着手，开发了高密度、高稳定性的金刚石沉积装置。与国外设备相比，成本降至百分之三十。团队自主开发了金刚石的生长工艺，即对籽晶进行特殊的处理，同时制备...
用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料,探讨了Au催化剂对纳米结构和形貌的影响,并研究了其光致发光特性。X射线衍射(XRD)分析显示产物为单斜结构的β-Ga2O3。扫描电子显微镜(SEM)测试表明:Au催化剂颗粒尺寸较小时,制备的产物为尺度均匀的β-Ga2O3纳米线,宽度小于100 nm,长度为几微米至几十微米;增加催化剂颗粒尺寸时,制备出的β-Ga2O3纳米结构的尺度变大,形貌由纳米线逐步...
CVD法SIC纤维表面碳涂层结构的拉曼光谱研究
化学气相沉积 碳涂层 拉曼光谱 微观结构
2012/12/7
采用激光拉曼光谱仪和扫描电子显微镜对以Ｃ２Ｈ２＋Ｈ２ 和Ｃ２Ｈ２＋Ｃ３Ｈ８＋Ａｒ为反应气体，通过直流加热化学气相沉积工艺在ＳｉＣ纤维表面制备的碳涂层的微观结构断口形貌进行了研究。结果表明，两种碳涂层的拉曼光谱中１３５０，１４００～１５００和１６００ｃｍ－１附近均观察到Ｄ，Ｄ”和Ｇ特征峰的存在。碳涂层具有类似石墨的片层结构，结构中微晶的排列显示出一定的无序性，并含有少量非晶态碳。随着沉积温度的升高，...
CVD法制备碳/高活性铝复合材料
材料科学 化学气相沉积技术 高活性铝 碳/高活性铝复合材料
2014/3/4
采用化学气相沉积技术(CVD)，在乙炔气氛、500℃条件下制备了碳/高活性铝复合材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）对复合材料的物相、形貌、组成进行了表征。结果表明，碳/高活性铝复合材料具有特殊的核壳结构及良好的耐水能力。
CVD-SiC纤维的拉曼光谱研究
SiC纤维 钛基复合材料 拉曼光谱 热残余应力
2012/4/13
采用激光拉曼光谱对单根CVD-SiC纤维进行了研究，并与SiCf/Ti-6Al-4V复合材料中SiC纤维的拉曼光谱进行对比分析。发现SiC纤维的第一沉积层的TO峰峰形尖锐，表明SiC晶粒较大，第二沉积层的晶粒较小，在二个沉积层中分别检测到碳和硅的拉曼峰。在复合材料中，SiC纤维的TO峰向高波数偏移，表明复合材料在制备过程中，因SiC与基体钛合金的热膨胀系数不同而使纤维受到热残余压应力的作用。通过计...
High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor
High growth rate 4H-SiC epitaxial growth hot-wall CVD reactor
2010/11/18
Thick, high quality 4H-SiC epilayers have been grown in a vertical hot-wall chemical
vapor deposition system at a high growth rate on (0001) 80 off-axis substrates. We
discuss the use of dichlorosil...
CVD-SiC纤维的拉曼光谱研究
SiC纤维 钛基复合材料 拉曼光谱 热残余应力
2012/4/19
采用激光拉曼光谱对单根CVD-SiC纤维进行了研究，并与SiCf/Ti-6Al-4V复合材料中SiC纤维的拉曼光谱进行对比分析。发现SiC纤维的第一沉积层的TO峰峰形尖锐，表明SiC晶粒较大，第二沉积层的晶粒较小，在二个沉积层中分别检测到碳和硅的拉曼峰。在复合材料中，SiC纤维的TO峰向高波数偏移，表明复合材料在制备过程中，因SiC与基体钛合金的热膨胀系数不同而使纤维受到热残余压应力的作用。通过计...