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分子内非共价相互作用能够锁定平面构象,显著提升共轭骨架的共平面性和刚性,进而增强载流子的迁移率。这一特性已在有机太阳能电池、有机光电探测器及有机场效应晶体管等多个领域得到广泛应用,并逐渐成为设计高性能有机/高分子半导体材料的关键策略之一。然而迄今为止,尚未有可靠的方法能够直接表征薄膜体系中分子内非共价相互作用和相应构象的存在。
本发明涉及一种热电器件测试系统及方法。该系统包括:外壳与真空法兰形成密闭空间;机械台架置于密闭空间内,固定于真空法兰的上表面;冷却结构置于机械台架的一侧;冷却结构与真空法兰上的冷却剂流道通过胶管连接;加热结构置于机械台架的另一侧;加热结构通过真空法兰上的通信接口与温度控制器连接;温度采集模块与冷却结构和加热结构连接;当热电器件为热电制冷器件时,冷却结构与热电器件连接,电流源和电压采集模块与热电器件...
在芯片设计中,软件越来越复杂。为加速芯片上市时间,需要确保软件在芯片回片前得到充分的验证,这就需要一个高效的软件验证平台。而基于FPGA的HAPS原型验证平台,以其独特的高性能和灵活性,成为业界芯片验证流程中的重要一环。为了深入了解和推广HAPS原型验证技术,以便为广大芯片设计企业带来验证效率的高速提升,杭州国家“芯火”平台与浙江省半导体行业协会携手新思(Synopsys)将于2024年10月18...
2024年7月4日-5日,由国家集成电路设计深圳产业化基地和工业和信息化部人才交流中心共同组织的芯动力人才计划®第132期国际名家讲堂在深圳软件园顺利开展。作为本年度深圳市首场集成电路高级技术人才培训,本次讲堂聚焦“数字芯片测试与可测试性设计”这一前沿且关键的技术领域,旨在通过权威专家的深入讲解与实操指导,为深圳乃至全国集成电路产业的发展输送高质量的专业人才。
为提高深圳集成电路设计水平,增加企业研发人员与世界一流专家学习和对话的机会,国家集成电路设计深圳产业化基地将与工业和信息化部人才交流中心芯动力人才计划联合举办数字芯片测试与可测试性设计培训。本次培训特邀中国科学院计算技术研究所研究员、处理器芯片全国重点实验室副主任李华伟作为讲师。
2024年4月24日,由香港科技大学霍英东研究院与广东省集成电路行业协会联合主办、广州芯大厦支持的“集成电路失效分析与可靠性技术应用研讨会”顺利举办,现场60余位企业技术及研发代表参会,共同探讨集成电路封装技术领域前沿话题。
2024年4月12日至4月15日,中国电子元件行业协会电子陶瓷及器件分会《微波介质用陶瓷粉体介电性能测试方法》团体标准工作组会议在湖北省武汉市召开。电陶分会名誉理事长吴旭峰,秘书长罗平,标准牵头单位、武汉理工大学原副校长陈文,武汉理工大学材料科学与工程学院周静教授以及华为技术有限公司、电子科技大学、佛山蓝谱达科技有限公司、浙江嘉康电子股份有限公司、嘉兴佳利电子有限公司、中国电子科技集团公司第二十六...
为推动我市集成电路测试领域技术交流,助力构建集成电路产业发展环境,深圳市集成电路测试验证工程技术中心和深圳市集成电路设计龙岗服务平台将于2024年4月26日举办“2024测试验证技术在线研讨会”。本次会议将围绕Advantest V93K测试平台的LB与Probe Card 设计、应用相关技术及解决方案进行交流和研讨,特邀请我市集成电路相关单位参加。
2024年3月12日,洪启集成电路(珠海)有限公司与季华实验室测试中心战略合作签约暨集成电路分析检测联合实验室揭牌仪式在佛山南海隆重举行。季华实验室测试中心主任谭军、联合实验室副主任周玉铎,洪启集成联合创始人执行董事张启华、执行总裁洪流,联合实验室副主任赵志明、特邀嘉宾广东省集成电路行业协会秘书长潘雪花、广东省粤科创业投资有限公司投资业务部投资总监沈庆元、东莞市集成电路行业协会秘书长助理孔德浩以及...
本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法,该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头,探测器参数调整及确认,在不同放射源下获取探测器响应并标定;根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL,将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系;根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量,...
为深化校企合作,促进产教融合,助力集成电路行业人才培养,2023年12月12日-14日,学院联合爱德万测试(中国)管理有限公司在浦口办学点成功举办Advantest江苏地区首场ATE测试培训活动,吸引了南京邮电大学、东南大学、南京信息工程大学等高校近30余名学员参加本次培训。本次活动依托学院 “工业和信息化集成电路封测领域产业人才基地”。
2023年12月3日至6日,中国国际大学生创新大赛(2023)全国总决赛在天津大学举行,由我院蔡志匡教授指导的“华芯智测—国产化测试EDA领跑者”项目获高教主赛道全国金奖。这是我院在该项重大赛事中首次摘金,实现了零的突破。
本发明提供了一种LDO芯片的辐照测试系统及方法,主要解决通过现有技术测试出的芯片与其实际情况存在较大差异,无法完整、全面的反映芯片真实的抗辐射能力的技术问题。本发明的测试系统包括电源、测试模块、辐照模块及辐射场,其中,电源模块和测试模块位于辐射场外,辐照模块位于辐射场内,可对芯片在辐照过程中的状态进行实时监测,进而获取过程数据;同时,辐照模块可放置N个待测芯片,且各待测芯片相互独立,由此可对待测芯...
2023年11月17日,由深圳市高新技术产业促进中心和深圳市龙岗区科技创新局指导,天芯互联科技有限公司和龙岗区城市建设投资集团有限公司共同主办的“2023年集成电路测试验证技术研讨会”在我市龙岗区智慧家园集成电路测试验证工程技术中心成功召开。
本实用新型涉及半导体测试技术领域,具体涉及一种温差电元件发电性能测试系统和样品台。一种温差电元件发电性能测试系统,用于同时对两种不同类型的待测温差电元件进行测试,包括电源单元,检测单元,样品台和气氛单元,气氛单元用于至少容置待测温差电元件以提供测试气氛,样品台用于夹持待测温差电元件,电源单元用于与样品台和待测温差电元件组成温差发电回路,其中样品台包括集温器和在集温器两侧设置的电极,集温器与电极存在...

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