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搜索结果: 1-15 共查到光学工程 InP相关记录58条 . 查询时间(0.07 秒)
胶体量子点由于其优异的发光性质,被认为是下一代发光显示和固态照明领域最具潜力的材料之一。与经典的镉基和铅基量子点相比,InP基量子点不含重金属元素,其发光颜色可以覆盖整个可见光范围。然而,作为人眼最敏感的绿光,其相应的InP基量子点发展还相对滞后。因此,发展高性能绿光InP基量子点及其发光二极管在显示和照明等领域中具有极其重要的科学意义和应用价值。
利用半导体仿真工具Silvaco对p-i-n InP/In0.53Ga0.47As/InP近红外光探测器进行优化仿真.参考实际器件对红外探测器进行建模,并将其暗电流、光谱响应仿真结果与实验结果进行拟合,保证仿真结果的有效性.以减小探测器的暗电流为目的,优化其结构.针对探测器吸收层厚度和吸收层掺杂浓度对暗电流、光响应的影响进行研究,发现当吸收层厚度大于0.3μm后,暗电流不再上升,但光响应随着吸收层...
由于标准InP/In0.53Ga0.47As短波红外探测器的响应波段为0.87~1.7 μm,在高性能夜视中具有重要的应用。为了进一步利用夜天光在可见光区间的辐射能量,需要将InP/In0.53Ga0.47As短波探测器的光谱响应拓展到可见光,从而实现包含可见光和短波波段的宽光谱探测。通过特殊的材料设计和背减薄工艺,成功研制了可见光拓展的320×256 InP/InGaAs宽光谱红外探测器。采用增...
We demonstrate, using a compact InP-based integrated assembly of a tunable laser and a double-nested Mach-Zehnder modulator, generation of Nyquist-prefiltered QPSK and 16-QAM signals at 32-Gbaud. We t...
重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法.分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了一种单光子InGaAs雪崩二极管的设计方法.设计制作了InGaAs/InP SPAD,并在门控淬灭模式下进行了单光子探测实验.结果表明:对于Φ200μm...
在密集波分复用系统中,多波长DFB激光器阵列与多模干涉耦合器集成光源器件具有重要的应用前景.为了研制多波长集成光源中的宽带可用低损耗光耦合器,利用三维有限差分光束传播法仿真设计了一种具有强限制作用的InP/InGaAsP材料的多模干涉型耦合器.输入/输出端波导均采用楔形结构以降低多模干涉型耦合器的插入损耗,提高各个输出端口的出光平衡度.根据仿真结果,结合波导芯层为采用外延生长设备,采用反应离子刻蚀...
在有效质量近似下,利用变分法对GaxIn1-xAsyP1-y /InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响。计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时,束缚能达到最大值;外加电场使得电子波函数从阱中心偏移,引起束缚能的非对称分布;Ga 与 As组分的变化使得阶梯阱的势能高度发生变化,从而明显的影响阱中氢杂质束缚能。计算...
In this paper we review recent developments in the area of receiver photonic integrated circuits for the implementation of polarization multiplexed (differentially coded), quadrature phase shift keyin...
Single-mode InAs/InP quantum dot DFB lasers with side-mode suppression ratio greater than 62 dB are demonstrated, operating CW up to 80°C. Relative intensity noise was less than -153 dB/Hz from 1 MHz ...
We demonstrate 437 GHz optical pulse train generation based on grating coupled external cavities using InAs/InP quantum dots as the gain material. It is the highest repetition rate ever produced by QD...
Monolithic InP 1x8 optical switch with inline power monitor array is demonstrated.On-chip optimization of the switch is achieved using the feedback signal from power monitors,paving the way to constru...
InP MZ modulator of sub 1-V pp driving voltage with quasi-traveling-wave electrode structure and Logic IC of 90-nm CMOS process as its driver were developed. Their applicability was demonstrated throu...
We present results from novel compact InGaAsP/InP based flattened micro-ring resonators and lasers. Resonators with circumferences 30-300μm by using etched beam-splitters (EBS) are demonstrated. EBS c...
Advancements in photonic integration allow development of complex, large-scale circuits suited for future optical packet switched networks. We review our 8-channel InP monolithic tunable optical route...
We demonstrate a monolithic InP modulator that produces 28-Gbaud (112 Gb/s) square or hexagonal 16-QAM using four integrated amplitude/phase modulators. We achieve bit-error rates of 2.7×10 -3 and 3.8...

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