搜索结果: 1-15 共查到“材料科学基础学科 TiN”相关记录16条 . 查询时间(0.066 秒)
TiN纳米颗粒实现太阳能利用新突破
TiN纳米颗粒 太阳能利用
2016/6/28
近日，日本国立研究所材料纳米构造中心纳米系统光子学组研究团队通过数值计算发现，过渡金属氮化物和碳化物纳米颗粒能有效吸收阳光。同时实验证实，当氮化物纳米颗粒分散于水中时，会迅速提升水温。通过有效利用阳光，这些纳米颗粒可能被应用于水的加热和蒸馏。
第一性原理计算TiN(111)/BN/TiN(111)界面的电子结构、成键特性和结合强度
纳米复合薄膜 氮化物 界面 第一性原理
2009/10/15
利用第一性原理计算方法研究了TiN(111)/BN/TiN(111)界面的16个理论界面构型.计算结果表明, 最稳定界面构型为top-top-BN 构型, 此构型中B原子只与周围N原子成键, 为四面体配位. 同时计算了top-top-BN构型的电子结构和成键特性以及界面结合强度, 结果表明, top-top-BN构型界面上的键为较强共价键,
其界面结合强度比TiN(111)板层或TiN块体材料的...
中频对靶磁控溅射合成TiN/Ti多层膜
TiN/Ti多层膜 磁控溅射 力学性能
2008/6/17
利用新型中频对靶磁控溅射技术合成了一系列TiN/Ti多层膜. 考察了不同Ti间隔层
对多层膜硬度和结合力的影响, 分析了膜表面大颗粒和坑的形成机理; 利用正交
实验法和方差分析探讨了靶电流、气体压力和基体偏压对薄膜表面缺陷密度的影响,
对工艺参数进行了优化. 结果表明, 靶电流对缺陷密度的影响最大, 气体压力次之,
基体偏压对缺陷密度影响最小; 当靶电流I=20 A、气体压力p (Ar+N...
脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响
脉冲偏压 电弧离子镀 Ti/TiN纳米多层薄膜
2007/12/28
采用脉冲偏压电弧离子镀方法在高速钢基体上沉积Ti/TiN纳米多层薄膜，采用正交实验法设计脉冲偏压电参数，考察脉冲偏压对Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响。结果表明, 在所有偏压参数(脉冲偏压幅值、占空比和频率)和几何参数(调制周期和周期比)中, 脉冲偏压幅值是影响显微硬度的最主要因素；当沉积工艺中脉冲偏压幅值为900 V、占空比为50%及频率为30 kHz时, 薄膜硬度可高达34.1 GPa,...
高速钢W18Cr4V离子渗氮层组织对TiN膜与基体结合强度的影响
高速钢 离子渗氮 结合强度 TiN膜
2007/12/27
采用Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ高速钢进行离子渗氮－ＰＥＣＶＤ ＴｉＮ复合处理, 运用透射电子显微镜、Ｘ射线衍射仪和光学显微镜研究试样的表层组织结构. 采用连续压入法研究ＴｉＮ膜与基体的结合强度, 结果表明, 离子渗氮能够提高膜基结合强度, 通过分析渗氮层与膜－基界面的组织特点, 认为ＴｉＮ膜在渗氮层上一些与其具有相同或相似晶体结构的氮化物上外延生长, 以及强度较高的渗氮层对膜的支撑是基体渗氮提高膜－基结合强度...
调制结构对TiN/TaN多层膜的生长行为及力学性能的影响
TiN/TaN多层膜 生长行为 结构特征 力学特性
2007/12/27
利用反应磁控溅射方法，设计并制备了调制周期相同而调制比的TiN/TaN多层膜。利用X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和纳米压痕仪对多层膜的结构、微观状态和力学性能进行乐系统表征。结果表明：调制结构不仅改变多层膜的生长速率，而且能导致多层膜择优生长取向的变化；界面应力的存在使得薄膜生长速率随沉积层厚度的增加而下降；结构分析发现：在TiN/TaN多层膜中存在着独立外延生长的(111)和(100)两种取...
残余氧对TiN+Si3N4纳米复合薄膜硬度的影响
PCVD TiN Si3N4 纳米
2007/12/27
用直流等离子体增强化学气相沉积设备在不锈钢表面沉积纳米晶TiN和纳米非晶TiN+Si3N4复相薄膜。主要研究了氧元素对薄膜硬度的影响。结果表明,薄膜中极其微量的氧含量就会使nc－TiN + a－Si3N4薄膜的硬度大幅降低。薄膜中氧含量小于0.2%(原子分数)，薄膜硬度可以达到45—55 GPa，而氧含量升至1%—1.5%后，薄膜硬度降至30 GPa左右。其原因与晶界处形成SiOx相有关。
TiN 附着膜的应力-应变关系
TiN膜 双轴应力 应力-应变关系
2007/12/26
文章摘要：
利用等离子体辅助化学气相沉积法（PACVD）在60Mn钢基片上沉积2.5μm厚度的TiN膜.借助X射线应力分析技术和微拉伸设备,测量该附着膜纵向(加载方向)应力和横向应力及外载应变,进而求其等效应力等效单轴应变关系,并由此算得它的条件屈服点σ0.1和σ0.2分别为4.2和4.4GPa, 加工硬化指数为0.36.用纳米压痕仪测得其硬度为25GPa,弹性模量为420G...
TiN含量对Ti(C, N)/NiCr金属陶瓷微观结构和力学性能的影响
Ti(C N)/NiCr 金属陶瓷 微观结构
2007/12/21
采用粉末冶金真空烧结方法制备了Ti(C, N)/NiCr金属陶瓷.研究了TiN含量对Ti(C, N)/NiCr金属陶瓷微观结构与力学性能的影响. 结果表明，TiN的加入既改变了金属陶瓷硬质相颗粒的尺寸，使其变小，也改变了硬质相颗粒的形貌，使其由圆形变为多边形；随TiN含量的增加，金属陶瓷的抗弯强度均出现先增加后降低的规律，但在较低的烧结温度下，抗弯强度在TiN含量为4%时达到最大值，而在较高的烧结...
脉冲偏压电弧离子低温沉积TiN 硬质薄膜的力学性能
电弧离子镀 低温沉积 脉冲偏压
2007/11/8
文章摘要：
利用直流和脉冲偏压电弧离子镀技术沉积TiN 硬质薄膜,研究了不同偏压下基体的沉积温度、薄膜的表面形貌及力学性能。结果表明，与直流偏压相比，脉冲偏压可以明显降低基体的沉积温度，大大减少薄膜表面的大颗粒污染，改善表面形貌，而薄膜的综合力学性能仍保持良好，说明利用脉冲偏压技术是实现电弧离子镀低温沉积的有效途径。
SiO2层晶化对TiN/ SiO2纳米多层膜结构和性能的影响
无机非金属材料 TiN/ SiO2纳米多层膜 外延
2007/10/26
文章摘要：
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同SiO2调制层厚的TiN/SiO2纳米多层膜. 利用X射线衍射、X射线能量色散谱、扫描电子显微镜、高分辨电子显微镜和微力学探针表征和研究了多层膜的生长结构和力学性能. 结果表明, 具有适当厚度(0.45~0.9 nm)的SiO2调制层, 在溅射条件下通常为非晶态, 在TiN层的模板作用下晶化并与TiN层共格外...
“AlON-TiN复相材料的显微结构及断裂行为”
2007/7/28
期刊信息
篇名
“AlON-TiN复相材料的显微结构及断裂行为”
语种
中文
撰写或编译
作者
张作泰,赛音巴特尔,李文超
第一作者单位
刊物名称
《稀有金属》
页面
2004，Vol.28,No.1,p.1
出版日期
2004年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
阿隆材料物理化学及探索钒阿隆合成机理
“AlON-TiN复相材料的合成及工艺优化”
2007/7/28
期刊信息
篇名
“AlON-TiN复相材料的合成及工艺优化”
语种
中文
撰写或编译
作者
张作泰,赛音巴特尔,李文超
第一作者单位
刊物名称
《硅酸盐学报》
页面
2003， vol.31, No.8，
出版日期
2003年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
阿隆材料物理化学及探索钒阿隆合成机理
“AlON-TiN复相材料的性能与结构”
2007/7/28
期刊信息
篇名
“AlON-TiN复相材料的性能与结构”
语种
中文
撰写或编译
作者
张作泰
第一作者单位
刊物名称
硕士学位论文
页面
2003
出版日期
2003年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
阿隆材料物理化学及探索钒阿隆合成机理
期刊信息
篇名
“Synthesis of TiN/AlON composite ceramics”
语种
英文
撰写或编译
作者
Zhang Zuotai,Saiyinbateer,Li Wenchao
第一作者单位
刊物名称
J.of University of Science & Technology Beijing
页面
2003,vol.10,No.1,p.4
出版日期
2003年
月
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