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第七届MOS-AK器件模型国际会议在南京邮电大学举行(图)
南京邮大 MOS-AK器件 半导体器件
2024/2/5
中国科学院微电子研究所专利:带有存储功能的MOS器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 存储功能 MOS器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利:金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 金属源漏 SOI MOS晶体管
2023/7/10
近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线(Gate-all-around silicon nanowire,GAA SiNW)MOS器件的结构和制造方法研究中取得新进展。
近日,北京大学物理学院、人工微结构和介观物理国家重点实验室宽禁带半导体研究中心唐宁、沈波课题组与戴伦课题组合作开展了单层MoS2材料在流体静压力作用下的光谱性质研究,发现其能谷直接-间接带隙的转变。相关工作于2017年11月3日在Science Advances上在线刊登【Science Advances,3,e1700162(2017)】。唐宁、沈波课题组与戴伦课题组合作利用大面积高质量的单层M...
2016年6月26日至28日,国际MOS-AK研讨会在中国科学院上海微系统与信息技术研究所成功举办。本次研讨会由中国科学院上海微系统与信息技术研究所(SIMIT)的信息功能材料国家重点实验室和上海微技术国际合作中心(SIMTAC)联合主办。由是德科技有限公司(Keysight Technologies)、北京博达微科技有限公司(PDA)、深圳市易捷测试技术有限公司等参与赞助。为期三天的研讨会吸引了...
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第十一章 MOS模拟集成电路。
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第六章 MOS反相器
电子科技大学成都学院 集成电路原理 课件 第六章 MOS反相器
2016/5/6
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第六章 MOS反相器。
桂林电子科技大学信息与通信学院模拟电子电路基础课件第四章 MOS模拟集成电路基础(三)。
桂林电子科技大学信息与通信学院模拟电子电路基础课件第四章 MOS模拟集成电路基础(二)。
桂林电子科技大学信息与通信学院模拟电子电路基础课件第四章 MOS模拟集成电路基础(一)。