搜索结果: 1-2 共查到“工学 GaAs/Al0.3Ga0.7As”相关记录2条 . 查询时间(0.064 秒)
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300 μm×300 μm台面,内电极压焊点面积为20 μm×20 μm,外电极压焊点面积为80 μm×80 μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43 μm,8.32 μm,与根据薛定谔方程得到器件理论峰...
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱材料，制备300 μm×300 μm 台面，内电极压焊点面积为20 μm×20 μm，外电极压焊点面积为80 μm×80 μm 的单元样品两种。用变温液氮制冷系统对样品进行77 ~300 K 暗电流特性测试。结果显示，器件暗电流曲线呈现出正负偏压的不对称性。利用高分辨透射扫描电镜(HRTEM)获得样品纳米尺度横...