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搜索结果: 1-5 共查到工学 CVD SiC相关记录5条 . 查询时间(0.203 秒)
采用激光拉曼光谱对单根CVD-SiC纤维进行了研究,并与SiCf/Ti-6Al-4V复合材料中SiC纤维的拉曼光谱进行对比分析。发现SiC纤维的第一沉积层的TO峰峰形尖锐,表明SiC晶粒较大,第二沉积层的晶粒较小,在二个沉积层中分别检测到碳和硅的拉曼峰。在复合材料中,SiC纤维的TO峰向高波数偏移,表明复合材料在制备过程中,因SiC与基体钛合金的热膨胀系数不同而使纤维受到热残余压应力的作用。通过计...
采用激光拉曼光谱对单根CVD-SiC纤维进行了研究,并与SiCf/Ti-6Al-4V复合材料中SiC纤维的拉曼光谱进行对比分析。发现SiC纤维的第一沉积层的TO峰峰形尖锐,表明SiC晶粒较大,第二沉积层的晶粒较小,在二个沉积层中分别检测到碳和硅的拉曼峰。在复合材料中,SiC纤维的TO峰向高波数偏移,表明复合材料在制备过程中,因SiC与基体钛合金的热膨胀系数不同而使纤维受到热残余压应力的作用。通过计...
以针刺整体毡为预制体制备C/SiC复合材料,在材料表面制备CVD SiC涂层,研究涂层试样氧化前、后的微观结构和室温弯曲性能。研究结果表明:CVD SiC涂层由球形颗粒熔聚体、裸露裂纹和附着裂纹组成,于1 400 ℃氧化时附着裂纹发生愈合;C/SiC试样的弯曲强度为119.9 MPa,涂层试样及其分别经1 000,1 200和1 400 ℃连续氧化5 h后,弯曲强度分别为188.5,41.0,60...
摘要 以MTS为先驱体原料, 在950~1300℃、负压条件下沉积了CVD SiC涂层. 利用SEM对涂 层的表面形貌和断口特征进行了表征. 沉积温度和SiC涂层表面形貌的关系如下: 950℃时, 沉积的SiC颗粒非常细小, 为独立的球形堆积; 1000~1100℃时, CVD SiC涂层表面光滑、致密; 1150~1300℃沉积的SiC涂层呈现出球状或瘤状结构且表面粗糙. 结合热力学和晶体形核-...
研究CH3SiCl3-H2-Ar体系中在石墨表面化学气相沉积SiC涂层工艺,并对涂层形貌进行SEM分析。考察沉积温度、气体比例、气体流量以及稀释气体含量对化学气相沉积SiC涂层的显微结构的影响。结果表明,在温度1100℃,H2:MTS=5:3,气体流量8L/min,稀释气体1L/min时,制备的涂层致密光滑。其中涂层的形貌对温度最敏感,当沉积温度达到1100℃时,CVD SiC涂层表面致密且光滑。

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